STD6N65M2

功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.35 欧姆 @ 2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):226pF @ 100V

功率 - 最大值:60W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:DPAK

标准包装:1

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